第225章 肖克利的认知 (第2/3页)

方案。”

    他的声音里带着骄傲，仿佛在炫耀着什么。

    “我们都知道，点接触晶体管太不稳定了。”

    “良率仅有百分之五十，如果这种产品也能量产的话，那将是米国的不幸。”

    台下的研究员们纷纷点头。

    这是他们所有人的痛。

    点接触晶体管，从一九四七年发明到现在，已经四年了，可良品率却始终卡在百分之五十左右，死活也提上不去。

    “而生长结法，彻底解决了这个问题。”

    肖克利的马克笔，又在坩埚里画了一根棒状的晶体。

    “我们用CZOChralSki法，也就是直拉法，从熔融的锗液里，缓慢地拉出一根单晶。”

    “在拉的过程中，先往熔液里投一颗镓丸，众所周知，镓是三价元素，掺进去，锗就变成了P型。”

    “等这一层长到足够厚，再投一颗锑丸，锑是五价元素，掺进去，锗又变回了N型。”

    “这样，拉出来的一根单晶里，就有了N-P-N的三层结构。”

    他在晶体上画了三个区域，标上N、P、N。

    “中间那个P型层，就是基区。”

    “基区越薄，载流子穿过基区的时间就越短，晶体管的截止频率就越高。”

    “我们现在的工艺，基区厚度已经能控制在二十微米左右。”

    二十微米。

    台下有人倒吸了一口凉气，震惊于贝尔实验室的技术。

    因为点接触晶体管的基区，是靠两根探针的间距控制的，最少也得五十微米。

    他们能做到二十微米，已经是质的飞跃了。

    “二十微米，这意味着什么？”肖克利扫视全场，嘴角带着一丝意气风发的笑意，“这意味着我们的晶体管，截止频率能做到一兆赫兹以上。”

    一兆赫兹。

    他把马克笔重重地搁在白板槽里，自信抬头的看着众人。

    “这比之前的点接触晶体管，高了整整一个数量级！”

    会议室里响起了热烈的掌声。

    肖克利压了压手，掌声渐渐停了下来。

    “女士们先生们，我相信这还不是终点。”

    他的语气里带着一丝狂热，动作夸张的介绍着。

    “生长结法的潜力，远不止于此。我们正在优化掺杂工艺——精确控制镓丸和锑丸的投入时机，精确控制拉制速度。”

    “我们的目标，是把基区厚度压到十微米以下。”

    “到那时候，我们的晶体管，截止频率肯定能做到十兆赫兹！”

    生长结法是在拉单晶的时候掺杂，你得在晶体生长的那一瞬间，精准地投入杂质。早一点晚一点，基区厚度就差了好几微米。

    这是工艺原理决定的，不是优化能解决的。

    肖克利对此深信不疑。

    在他的认知里，晶体管的制造，就只有两条路：点接触和生长结。

    点接触已经被淘汰了，生长结就是未

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